在本周二于硅谷举行的 SFF（三星代工论坛）上，三星宣告了该公司的新芯片制作方案，披露了未来几代产品的开展方向。
在本年的 SFF 论坛上，三星共享了该公司开展“极紫外光刻技能”的长时间许诺。这条通往新工艺的路途，有望将芯片上的电子电路数量增至四倍。
· 7nm LPP（7nm Low Power Plus）：三星首款运用EUV光刻工艺的半导体工艺技能，估计本年下半年投入生产，要害IP中心正在开发中，估计2019年上半年完结。
5nm LPE（5nm Low Power Early）：经过7nm LPP工艺的立异，5nm LPE工艺将带来更高的面积缩放以及超低功耗优势。
4nm LPE/LPP（Low Power Early/Low Power Plus）：高度老练的FinFET工艺将一向用到4nm节点，作为最新一代FinFET工艺，经过吸收5nm工艺的优势，4nm 将供给更小的cell单元、更高的功能以及更快到达量产水平的良率。
3nm GAAE/GAAP（3nm Gate-All-Around Early/Plus）：4nm之后三星将推出3nm工艺，该工艺节点将运用全新的架构，为客服FinFET工艺的物理缩放以及功能约束等问题，三星开发了绝无仅有的GAA技能，使用纳米片设备制作出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管）。增强栅极操控之后，3nm节点工艺的功能将会显着提高。
每一步的开展，都将使晶体管变得更杂乱，并推升了制作本钱。至于单个晶体管本钱在未来道路图中会产生什么样的改变，三星没有当即置评。
此外，针对HPC高功能核算，三星还能供给从7nm LPP工艺到2.5D/3D异构封装的100+Gbps网络等等IP中心。
与上一年的工艺道路nm工艺没了踪迹，不确定三星是没提仍是直接越过了，考虑到与台积电竞赛7nm工艺的重要性，三星越过某些工艺节点也是正常的。从现在发布的成果来看，三星的7nm EUV工艺显着加快了，本年下半年就能投产，尽管相关的IP中心要到下一年初才干面世，不过台积电以及GF的7nm EUV工艺都是预订下一年才量产的，至于英特尔那就更遥远了，10nm到下一年末才干量产。
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